SJ 50033.118-1997 半导体分立器件2EK31型砷化钾开关二极管详细规范
|
ID： |
0BF33FF676C94820A6FD0071FB5B18BB |
|
文件大小(MB)： |
0.43 |
|
页数： |
7 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2024-7-27 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/118-97,半导体分立器件,2EK3I型珅化钱开关二极管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 2EK31,GaAs switching diode,1997.06-17 发布1997-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2EK3I型神化镇开关二极管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 2EK31,GaAs switching diode,SJ 50033/118-97,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 2EK31型神化镇开关二级管(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33-85〈半导体分立器件总规范》的规定,提供的质量保证等级为普军级(GP)、特,军级(GT)和超特军级(GCT)三级,2引用文件,GB 6570-86微波二级管测试方法,GB 6571-86小功率信号二级管、稳压及基准电压二极管测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试睑方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引线材料和涂层,引线材料为可伐,引线涂层为镀金,中华人民共和国电子工业部!997-06-17发布 !997-10-01实施,—1 —,SJ 50033/118-97,3.2.2 器件结构,神化傢外延材料,平面肖特基势垒结构,陶瓷扁平微带空腔封装,3.2.3 外形尺寸,器件的外形尺寸应按本规范的规定（见图1）,to,单位:mm,、、尺寸,符号 、、,min nom nax,帕2.8 一3.2,H L3 — 1.8,B 0.6 一0.9,C 0.1 一0.14,L 10.0 —,L 1.2 — 1.5,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,3.3.2主要电特性（Ta = 25C）,1FM Vrm Tgtg,mA V V 匕,100 50 -50-125 -55-150,—2 —,www. bzfxw. com ス载,SJ 50033/118-97,Vf,V,匕网,V,q,pF,Ctot,pF,"rr,ns,ZF= 100mA Ir<10/xA Vr = 0,/= 1MHz,30,/=1MHz,Ip = 20mA,i? 1mA,最小最大i小最大最小最大最小最大最小最大,一1.5 50 一— 2 一2.3 60,3.4 电测试要求,电测试应按GB 6570.GB 6571及本规范的规定进行,3.5 标志,根据器件的特点,省略GJB 33中有关器件上的标志,极性标志按图1识别,器件包装盒上,的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.!抽样和檢验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33和本规范表1、表2、表3和表4的规定,4.3 筛选（仅对GT级和GCT级）,筛选的步骤和条件按照GJB 33和本规范的规定,其测试应按本规范表1的规定进行,超,过表2的极限值的器件应予别除,筛 选试验方法测 试,见(GJB 33 表 2) GJB 128,2高温寿命1032 15013 24h,3热冲击1051 除最低温度-55じ,循环20次外,（温度循环） 其余同试验条件F,4恒定加速度2006 Y1 方向,196000m/s?,5密封1071,a.细检漏a.试验条件H,最大漏率:5xl0-3pa.cm3/s,b.粗检漏试验条件C,7中间测试Vf,8电老炼1038 Ta = 25匕 /F= 100mA z = 96h,9最后测试z!Vf/Vf<5%,其它参数按本规范表1的A2、A4分组,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33和本规范的规定,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检险应按GJB 33和本规范表2的规定进行,3,SJ50W/118-97,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法按本规范相应表的规定,表1 A组检验,检验或试睑方 法条 件LTPD 符号,极限值,单位,最小最大,A!分组,外观及机械,检验,GJB 128,2071,5 外观无缺损引线,无明显锈蚀,A2分组,正向电压,击穿电压,GB 6571,2.1.2,GB 6570,3.1,If = 100mA,/R= 10/zA,5,Vf,匕BR) 50,1.5 V,V,A3分组,（高温）,击穿电压,（低温）,正向电压,GB 6570,3.1,GB 6571,2.1.2,TF=125t,IR<10^A,Ta= -55V,/F= 100mA,5,匕BR),Vf,40,L65,V,V,A4分组,结电容,总电容,反向恢复,时间,GB 6571,2,2.4,2.1.3,2.1.4,Vr = 0,/=1MHz,Vr = 0,/=1MHz,IF = 20mA,1mA,5,ci0,c侬,ス,2,2.3,60,pF,pF,ns,表2 B组……
……